casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N4005-N-2-2-BP
codice articolo del costruttore | 1N4005-N-2-2-BP |
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Numero di parte futuro | FT-1N4005-N-2-2-BP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4005-N-2-2-BP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-41 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4005-N-2-2-BP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4005-N-2-2-BP-FT |
1N5614US
Microsemi Corporation
1N5554
Microsemi Corporation
1N5807
Microsemi Corporation
1N5186
Microsemi Corporation
1N5187
Microsemi Corporation
1N5189
Microsemi Corporation
1N5190
Microsemi Corporation
1N5186US
Microsemi Corporation
1N5187US
Microsemi Corporation
1N5188
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel