casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N4004-N-0-1-BP
codice articolo del costruttore | 1N4004-N-0-1-BP |
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Numero di parte futuro | FT-1N4004-N-0-1-BP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4004-N-0-1-BP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-41 |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4004-N-0-1-BP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4004-N-0-1-BP-FT |
1N3173A
Microsemi Corporation
1N3174A
Microsemi Corporation
1N3175R
Microsemi Corporation
1N3177
Microsemi Corporation
1N3291RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N3292B
Microsemi Corporation
1N3297
Microsemi Corporation
1N3297R
Microsemi Corporation
1N3612GP-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N3612GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel