codice articolo del costruttore | 1N3614 |
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Numero di parte futuro | FT-1N3614 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3614 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3614 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N3614-FT |
MBR2080FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2090CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2090FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR30100FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR30150CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR30150FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR40150PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR40200PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR4040PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR4045PTE3/TU
Microsemi Corporation
EPF10K50STC144-1
Intel
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10-2EQI
Microchip Technology
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel