casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N3595-1E3
codice articolo del costruttore | 1N3595-1E3 |
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Numero di parte futuro | FT-1N3595-1E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3595-1E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 125V |
Corrente: media rettificata (Io) | 150mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1nA @ 125V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 (DO-204AH) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3595-1E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N3595-1E3-FT |
ND350N16KHPSA1
Infineon Technologies
ND89N12KHPSA1
Infineon Technologies
ND89N16KHPSA1
Infineon Technologies
NGTD15R65F2SWK
ON Semiconductor
PMEG3010AESAYL
Nexperia USA Inc.
RS2DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB250S-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS210HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS210HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division