casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N3271R
codice articolo del costruttore | 1N3271R |
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Numero di parte futuro | FT-1N3271R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3271R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 160A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 12mA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3271R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N3271R-FT |
MBR20100FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR20150CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR20150FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR20200FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2040CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2040FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2045FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2050CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2050FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2060CTE3/TU
Microsemi Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel