codice articolo del costruttore | 1N3262 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-1N3262 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3262 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 160A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 12mA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3262 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N3262-FT |
VSSA310SHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSA310SHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
1PS76SB10Z
Nexperia USA Inc.
1PS76SB21F
Nexperia USA Inc.
1PS76SB21Z
Nexperia USA Inc.
BAT760F
Nexperia USA Inc.
BAT760Z
Nexperia USA Inc.
DA2610100L
Panasonic Electronic Components
DB2631100L
Panasonic Electronic Components
DB2631400L
Panasonic Electronic Components
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel