casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N3261R
codice articolo del costruttore | 1N3261R |
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Numero di parte futuro | FT-1N3261R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3261R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 160A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 12mA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3261R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N3261R-FT |
VS-VSKE320-20PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSA310SHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSA310SHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
1PS76SB10Z
Nexperia USA Inc.
1PS76SB21F
Nexperia USA Inc.
1PS76SB21Z
Nexperia USA Inc.
BAT760F
Nexperia USA Inc.
BAT760Z
Nexperia USA Inc.
DA2610100L
Panasonic Electronic Components
DB2631100L
Panasonic Electronic Components
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel