casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N3165R
codice articolo del costruttore | 1N3165R |
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Numero di parte futuro | FT-1N3165R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N3165R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3165R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N3165R-FT |
VS-88HF60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-88HF80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-88HFR100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-88HFR120
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-88HFR20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-88HFR40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-88HFR60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-88HFR80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKE250-04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKE250-08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel