casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N1187R
codice articolo del costruttore | 1N1187R |
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Numero di parte futuro | FT-1N1187R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N1187R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 35A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-5 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 190°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1187R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N1187R-FT |
B220BE-13
Diodes Incorporated
B230BE-13
Diodes Incorporated
B240BE-13
Diodes Incorporated
B245BE-13
Diodes Incorporated
B250BE-13
Diodes Incorporated
B260BE-13
Diodes Incorporated
B270AE-13
Diodes Incorporated
B270BE-13
Diodes Incorporated
B280AE-13
Diodes Incorporated
B280BE-13
Diodes Incorporated
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel