codice articolo del costruttore | 1N1126 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-1N1126 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N1126 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1126 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N1126-FT |
HSM540J/TR13
Microsemi Corporation
HSM540JE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM550G/TR13
Microsemi Corporation
HSM550GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM560G/TR13
Microsemi Corporation
HSM560GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM580G/TR13
Microsemi Corporation
HSM580GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM590G/TR13
Microsemi Corporation
HSM590GE3/TR13
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel