casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 183NQ100-1
codice articolo del costruttore | 183NQ100-1 |
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Numero di parte futuro | FT-183NQ100-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
183NQ100-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 180A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 180A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4.5mA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 4150pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | HALF-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | PRM1-1 (Half Pak Module) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
183NQ100-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 183NQ100-1-FT |
BYT01-400
STMicroelectronics
BYT01-400RL
STMicroelectronics
BYW100-200
STMicroelectronics
BYW100-200RL
STMicroelectronics
STPS2150RL
STMicroelectronics
STTH152
STMicroelectronics
STTH152RL
STMicroelectronics
STTH208RL
STMicroelectronics
STTH2R02Q
STMicroelectronics
STTH2R02QRL
STMicroelectronics
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel