casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 183NQ080-1
codice articolo del costruttore | 183NQ080-1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-183NQ080-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
183NQ080-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 180A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 180A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4.5mA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | 4150pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | HALF-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | PRM1-1 (Half Pak Module) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
183NQ080-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 183NQ080-1-FT |
STPS1150
STMicroelectronics
STTH2R06
STMicroelectronics
STTH2L06
STMicroelectronics
STTH102RL
STMicroelectronics
STTH110
STMicroelectronics
STTH112RL
STMicroelectronics
STTH1R06RL
STMicroelectronics
STPS2L60
STMicroelectronics
STTH102
STMicroelectronics
STPS1150RL
STMicroelectronics
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.