casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 181NQ040-1
codice articolo del costruttore | 181NQ040-1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-181NQ040-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
181NQ040-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 180A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 660mV @ 180A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 15mA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | 7800pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | HALF-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | PRM1-1 (Half Pak Module) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
181NQ040-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 181NQ040-1-FT |
STPS3L25S
STMicroelectronics
STTA212S
STMicroelectronics
STTH2R06RL
STMicroelectronics
STPS1150
STMicroelectronics
STTH2R06
STMicroelectronics
STTH2L06
STMicroelectronics
STTH102RL
STMicroelectronics
STTH110
STMicroelectronics
STTH112RL
STMicroelectronics
STTH1R06RL
STMicroelectronics
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel