casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / 1812R-683H
codice articolo del costruttore | 1812R-683H |
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Numero di parte futuro | FT-1812R-683H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1812R |
1812R-683H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 68µH |
Tolleranza | ±3% |
Valutazione attuale | 183mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 6 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 2.5MHz |
Frequenza - Autorisonante | 9MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2.5MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.126" W (3.20mm x 3.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.190" (4.83mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1812R-683H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1812R-683H-FT |
1812R-330M
API Delevan Inc.
1812R-331F
API Delevan Inc.
1812R-331G
API Delevan Inc.
1812R-331H
API Delevan Inc.
1812R-331J
API Delevan Inc.
1812R-331K
API Delevan Inc.
1812R-332F
API Delevan Inc.
1812R-332G
API Delevan Inc.
1812R-332H
API Delevan Inc.
1812R-332J
API Delevan Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel