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codice articolo del costruttore | 1812R-100K |
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Numero di parte futuro | FT-1812R-100K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1812R |
1812R-100K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Phenolic |
Induttanza | 10nH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 1.23A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 100 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 50MHz |
Frequenza - Autorisonante | 1GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 50MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.126" W (3.20mm x 3.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.190" (4.83mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1812R-100K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1812R-100K-FT |
1812-393K
API Delevan Inc.
1812-394F
API Delevan Inc.
1812-394G
API Delevan Inc.
1812-394H
API Delevan Inc.
1812-394J
API Delevan Inc.
1812-394K
API Delevan Inc.
1812-470J
API Delevan Inc.
1812-470K
API Delevan Inc.
1812-470M
API Delevan Inc.
1812-471F
API Delevan Inc.
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel