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codice articolo del costruttore | 1782R-51G |
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Numero di parte futuro | FT-1782R-51G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1782R |
1782R-51G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Molded |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 20µH |
Tolleranza | ±2% |
Valutazione attuale | 140mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 3.3 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 2.5MHz |
Frequenza - Autorisonante | 25MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2.5MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1782R-51G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1782R-51G-FT |
1782R-02H
API Delevan Inc.
1782R-02J
API Delevan Inc.
1782R-03F
API Delevan Inc.
1782R-03G
API Delevan Inc.
1782R-03H
API Delevan Inc.
1782R-03J
API Delevan Inc.
1782R-05F
API Delevan Inc.
1782R-05G
API Delevan Inc.
1782R-05H
API Delevan Inc.
1782R-05J
API Delevan Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel