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codice articolo del costruttore | 160R-120MS |
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Numero di parte futuro | FT-160R-120MS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 160R |
160R-120MS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Phenolic |
Induttanza | 12nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.515A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 55 mOhm Max |
Q @ Freq | 48 @ 150MHz |
Frequenza - Autorisonante | 900MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 150MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.150" L x 0.120" W (3.81mm x 3.05mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.080" (2.03mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
160R-120MS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 160R-120MS-FT |
160-394JS
API Delevan Inc.
160-421FS
API Delevan Inc.
160-421GS
API Delevan Inc.
160-421HS
API Delevan Inc.
160-421JS
API Delevan Inc.
160-421KS
API Delevan Inc.
160-470JS
API Delevan Inc.
160-470KS
API Delevan Inc.
160-470MS
API Delevan Inc.
160-471FS
API Delevan Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel