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codice articolo del costruttore | 12RS683C |
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Numero di parte futuro | FT-12RS683C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1200RS |
12RS683C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 68µH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 1.8A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 10kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.413" Dia (10.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.335" (8.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
12RS683C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 12RS683C-FT |
15682C
Murata Power Solutions Inc.
15102C
Murata Power Solutions Inc.
15103C
Murata Power Solutions Inc.
15104C
Murata Power Solutions Inc.
15105C
Murata Power Solutions Inc.
15152C
Murata Power Solutions Inc.
15153C
Murata Power Solutions Inc.
15154C
Murata Power Solutions Inc.
15222C
Murata Power Solutions Inc.
15224C
Murata Power Solutions Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel