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codice articolo del costruttore | 12LRS475C |
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Numero di parte futuro | FT-12LRS475C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1200LRS |
12LRS475C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 4.7mH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 180mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 10.5 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 10kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.413" Dia (10.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.335" (8.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
12LRS475C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 12LRS475C-FT |
15683C
Murata Power Solutions Inc.
15684C
Murata Power Solutions Inc.
1410524C
Murata Power Solutions Inc.
1422455C
Murata Power Solutions Inc.
1433428C
Murata Power Solutions Inc.
1447385C
Murata Power Solutions Inc.
1422311C
Murata Power Solutions Inc.
1410516C
Murata Power Solutions Inc.
1410478C
Murata Power Solutions Inc.
1422435C
Murata Power Solutions Inc.
XC3S700A-4FG400C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256B
Microsemi Corporation
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
10AX048E4F29E3LG
Intel
LFXP2-5E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34I3SGES
Intel
EP1S80F1508C7N
Intel