casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 129NQ150-1
codice articolo del costruttore | 129NQ150-1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-129NQ150-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
129NQ150-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 120A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.07V @ 120A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 3000pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | HALF-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | PRM1-1 (Half Pak Module) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
129NQ150-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 129NQ150-1-FT |
STPS340SY
STMicroelectronics
STPS3L40S
STMicroelectronics
STPS3L40SY
STMicroelectronics
STPS3L60SY
STMicroelectronics
SMBYT03-400
STMicroelectronics
SMBYW04-200
STMicroelectronics
STPS3L25S
STMicroelectronics
STTA212S
STMicroelectronics
STTH2R06RL
STMicroelectronics
STPS1150
STMicroelectronics
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel