casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 129NQ150-1
codice articolo del costruttore | 129NQ150-1 |
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Numero di parte futuro | FT-129NQ150-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
129NQ150-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 120A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.07V @ 120A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 3000pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | HALF-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | PRM1-1 (Half Pak Module) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
129NQ150-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 129NQ150-1-FT |
STPS340SY
STMicroelectronics
STPS3L40S
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STPS3L40SY
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STPS3L60SY
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STPS1150
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XC6SLX150-3FGG676C
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XC4003E-2VQ100C
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XC4008E-1PQ208C
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APA750-FG896
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A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
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XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
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LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation