casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / 1286AS-H-1R5M=P2
codice articolo del costruttore | 1286AS-H-1R5M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-1286AS-H-1R5M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE201612C |
1286AS-H-1R5M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 1.5µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 114 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1286AS-H-1R5M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1286AS-H-1R5M=P2-FT |
LQG15WZ1N0C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N0S02D
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LQG15WZ1N1C02D
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LQG15WZ1N1S02D
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LQG15WZ1N2C02D
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LQG15WZ1N2S02D
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LQG15WZ1N3C02D
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LQG15WZ1N3S02D
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LQG15WZ1N5C02D
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LQG15WZ1N5S02D
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APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation