casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / 1276AS-H-4R7M=P2
codice articolo del costruttore | 1276AS-H-4R7M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-1276AS-H-4R7M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE322510C |
1276AS-H-4R7M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 4.7µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.2A |
Corrente - Saturazione | 1.6A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 264 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1276AS-H-4R7M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1276AS-H-4R7M=P2-FT |
LQG15WH4N3S02D
Murata Electronics North America
LQG15WH4N7C02D
Murata Electronics North America
LQG15WH4N7S02D
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LQG15WH5N1C02D
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LQG15WH5N1S02D
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LQG15WH5N6C02D
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LQG15WH5N6S02D
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LQG15WH6N2C02D
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LQG15WH6N2S02D
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LQG15WH6N8H02D
Murata Electronics North America
LCMXO640E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP4SGX290FH29C3
Intel
5SGXEA4K2F35I2LN
Intel
A1010B-PLG44C
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29I5G
Intel
EP20K60EQC240-2X
Intel
EPF8636AQC160-3
Intel
EP1SGX40GF1020I6
Intel