casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / 1274AS-H-2R2N=P3
codice articolo del costruttore | 1274AS-H-2R2N=P3 |
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Numero di parte futuro | FT-1274AS-H-2R2N=P3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DEM10050C |
1274AS-H-2R2N=P3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 8A |
Corrente - Saturazione | 12.6A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 9.6 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | - |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.394" L x 0.394" W (10.00mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.197" (5.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1274AS-H-2R2N=P3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1274AS-H-2R2N=P3-FT |
DFEG10040D-2R2M=P3
Murata Electronics North America
DFEG10040D-3R3M=P3
Murata Electronics North America
DFEG10040D-4R7M=P3
Murata Electronics North America
DFEG10040D-6R8M=P3
Murata Electronics North America
DFEG10040D-8R2M=P3
Murata Electronics North America
DFE252010F-4R7M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010F-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010F-R68M=P2
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DFE252010F-100M=P2
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DFE252010F-2R2M=P2
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XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel