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codice articolo del costruttore | 125HC5112KR |
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Numero di parte futuro | FT-125HC5112KR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HC5 |
125HC5112KR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Capacità | 1.2µF |
Tolleranza | ±10% |
Tensione nominale - CA. | 1100V (1.1kV) |
Tensione nominale - CC | - |
Materiale dielettrico | Polypropylene (PP) |
ESR (Equivalent Series Resistance) | 1.5 mOhms |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Axial, Can - Screw Terminals |
Dimensione / Dimensione | 3.150" Dia (80.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 2.819" (71.60mm) |
fine | Threaded, Female |
Lead Spacing | - |
applicazioni | Conduction Cooled; High Pulse, DV/DT |
Giudizi | - |
Caratteristiche | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
125HC5112KR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 125HC5112KR-FT |
125MABA01KIS
Illinois Capacitor
125MABA03KHS
Illinois Capacitor
126MABA02KJS
Illinois Capacitor
154MABA05KGS
Illinois Capacitor
155MABA01KIS
Illinois Capacitor
155MABA02KHS
Illinois Capacitor
156MABA02KJS
Illinois Capacitor
185MABA03KHS
Illinois Capacitor
186MABA03KJS
Illinois Capacitor
205MABA03KHS
Illinois Capacitor
A42MX16-2PQG100I
Microsemi Corporation
APA150-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXMA5K2F40I3LN
Intel
5SGSMD8K3F40C2LN
Intel
EP4SGX530NF45C4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2N
Intel
A42MX24-2TQG176
Microsemi Corporation
LFEC6E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29I3N
Intel