casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 123NQ100R-1
codice articolo del costruttore | 123NQ100R-1 |
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Numero di parte futuro | FT-123NQ100R-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
123NQ100R-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 120A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 120A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 2650pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | HALF-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | PRM1-1 (Half Pak Module) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
123NQ100R-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 123NQ100R-1-FT |
STTH302S
STMicroelectronics
STTH310S
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STPS3L60S
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STTH3R02S
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STTH2R06S
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LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel