casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 123NQ080R-1
codice articolo del costruttore | 123NQ080R-1 |
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Numero di parte futuro | FT-123NQ080R-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
123NQ080R-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 120A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 120A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | 2650pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | HALF-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | PRM1-1 (Half Pak Module) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
123NQ080R-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 123NQ080R-1-FT |
STTH4R02S
STMicroelectronics
STPS5L60SY
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STTH302S
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STTH3R06S
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STTH3R02S
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STTH3R04S
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XC6SLX45-3CSG484C
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XC7A100T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG484I
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MPF300TLS-FCG1152I
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A3P030-1VQG100I
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AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
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LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC208-3
Intel