casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 123NQ080R-1
codice articolo del costruttore | 123NQ080R-1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-123NQ080R-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
123NQ080R-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 120A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 120A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | 2650pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | HALF-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | PRM1-1 (Half Pak Module) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
123NQ080R-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 123NQ080R-1-FT |
STTH4R02S
STMicroelectronics
STPS5L60SY
STMicroelectronics
STTH302S
STMicroelectronics
STTH310S
STMicroelectronics
STPS3L60S
STMicroelectronics
STPS4S200S
STMicroelectronics
STTH212S
STMicroelectronics
STTH3R06S
STMicroelectronics
STTH3R02S
STMicroelectronics
STTH3R04S
STMicroelectronics
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel