casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / 1239AS-H-3R3M=P2
codice articolo del costruttore | 1239AS-H-3R3M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-1239AS-H-3R3M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252012C |
1239AS-H-3R3M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 3.3µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.8A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 144 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1239AS-H-3R3M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1239AS-H-3R3M=P2-FT |
LQG15WZ13NJ02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ15NH02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ15NJ02D
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LQG15WZ1N0C02D
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LQG15WZ1N0S02D
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LQG15WZ1N1C02D
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LQG15WZ1N1S02D
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LQG15WZ1N2C02D
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LQG15WZ1N2S02D
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LQG15WZ1N3C02D
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AGLN020V2-QNG68I
Microsemi Corporation
EPF10K30ETC144-1N
Intel
XC6SLX45-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5H3F35I3LN
Intel
XC7A50T-1CPG236C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2SG
Intel
EP2AGX95EF35I5ES
Intel