casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / 1235AS-H-1R2N=P3
codice articolo del costruttore | 1235AS-H-1R2N=P3 |
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Numero di parte futuro | FT-1235AS-H-1R2N=P3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1235AS-H-1R2N=P3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 1.2µH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 2.9A |
Corrente - Saturazione | 3.5A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 47 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.185" L x 0.177" W (4.70mm x 4.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.071" (1.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1235AS-H-1R2N=P3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1235AS-H-1R2N=P3-FT |
DFEG12060D-100M=P3
Murata Electronics North America
DFEG12060D-1R0M=P3
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DFEG12060D-1R5M=P3
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DFEG12060D-220M=P3
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XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel