casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / 1210R-100J
codice articolo del costruttore | 1210R-100J |
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Numero di parte futuro | FT-1210R-100J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1210R |
1210R-100J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Phenolic |
Induttanza | 10nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 966mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 130 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 50MHz |
Frequenza - Autorisonante | 2GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 50MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.128" L x 0.095" W (3.26mm x 2.41mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.101" (2.57mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1210R-100J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1210R-100J-FT |
1210-393G
API Delevan Inc.
1210-393H
API Delevan Inc.
1210-393J
API Delevan Inc.
1210-393K
API Delevan Inc.
1210-470J
API Delevan Inc.
1210-470K
API Delevan Inc.
1210-471F
API Delevan Inc.
1210-471G
API Delevan Inc.
1210-471H
API Delevan Inc.
1210-471J
API Delevan Inc.
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel