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codice articolo del costruttore | 11R682C |
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Numero di parte futuro | FT-11R682C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1100R |
11R682C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 6.8µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.1A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 100 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.197" Dia (5.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.295" (7.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
11R682C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 11R682C-FT |
1422512C
Murata Power Solutions Inc.
1430433C
Murata Power Solutions Inc.
1447508C
Murata Power Solutions Inc.
1468507C
Murata Power Solutions Inc.
1415605C
Murata Power Solutions Inc.
1447509C
Murata Power Solutions Inc.
1415513C
Murata Power Solutions Inc.
1447506C
Murata Power Solutions Inc.
1433510C
Murata Power Solutions Inc.
1410606C
Murata Power Solutions Inc.
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel