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codice articolo del costruttore | 11R332C |
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Numero di parte futuro | FT-11R332C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1100R |
11R332C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 3.3µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.5A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 70 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.197" Dia (5.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.295" (7.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
11R332C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 11R332C-FT |
1415513C
Murata Power Solutions Inc.
1447506C
Murata Power Solutions Inc.
1433510C
Murata Power Solutions Inc.
1410606C
Murata Power Solutions Inc.
13R686C
Murata Power Solutions Inc.
13R685C
Murata Power Solutions Inc.
13R684C
Murata Power Solutions Inc.
13R683C
Murata Power Solutions Inc.
13R682C
Murata Power Solutions Inc.
13R476C
Murata Power Solutions Inc.
EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel