casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 11LC020T-I/MNY
codice articolo del costruttore | 11LC020T-I/MNY |
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Numero di parte futuro | FT-11LC020T-I/MNY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
11LC020T-I/MNY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 2Kb (256 x 8) |
Frequenza di clock | 100kHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Single Wire |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TDFN (2x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
11LC020T-I/MNY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 11LC020T-I/MNY-FT |
M24C64-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M95020-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M95040-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M95512-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
W25Q16FWZPIQ
Winbond Electronics
W25X40CLZPIG
Winbond Electronics
W25Q80EWZPIG
Winbond Electronics
W25Q128JVEIQ
Winbond Electronics
W25Q128FWEIG
Winbond Electronics
W25Q80JVZPIQ
Winbond Electronics
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation