casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 11AA160-I/SN
codice articolo del costruttore | 11AA160-I/SN |
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Numero di parte futuro | FT-11AA160-I/SN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
11AA160-I/SN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frequenza di clock | 100kHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Single Wire |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
11AA160-I/SN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 11AA160-I/SN-FT |
23A256-I/SN
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23A256T-I/SN
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23A640-I/SN
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23A640T-I/SN
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23K640T-I/SN
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24AA02/SN
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24AA02T/SN
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24AA04-I/SNG
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24AA64T-I/SNG
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24LC04B-I/SNG
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XC7A50T-3FGG484E
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M1AGL1000V5-FGG484
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A3P250L-VQG100
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5SGXEA4H3F35C4N
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XC6VHX250T-1FF1154I
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XC6SLX16-L1CSG225C
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XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
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LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
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