casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 11AA080-I/P
codice articolo del costruttore | 11AA080-I/P |
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Numero di parte futuro | FT-11AA080-I/P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
11AA080-I/P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 8Kb (1K x 8) |
Frequenza di clock | 100kHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Single Wire |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
11AA080-I/P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 11AA080-I/P-FT |
W25P20VSNIG T&R
Winbond Electronics
W25P40VSNIG
Winbond Electronics
W25P40VSNIG T&R
Winbond Electronics
W25Q128FVTIQ
Winbond Electronics
W25Q16CLSNIG TR
Winbond Electronics
W25Q16CLSVIG
Winbond Electronics
W25Q16CLSVIG TR
Winbond Electronics
W25Q16DVSNIG
Winbond Electronics
W25Q16DVSNIG TR
Winbond Electronics
W25Q16DWSNIG
Winbond Electronics
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation