casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 11AA020T-I/MNY
codice articolo del costruttore | 11AA020T-I/MNY |
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Numero di parte futuro | FT-11AA020T-I/MNY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
11AA020T-I/MNY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 2Kb (256 x 8) |
Frequenza di clock | 100kHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Single Wire |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TDFN (2x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
11AA020T-I/MNY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 11AA020T-I/MNY-FT |
24LC16BT-E/MNY
Microchip Technology
25LC160CT-I/MNY
Microchip Technology
25LC320AT-E/MNY
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M24256-DRMF3TG/K
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M24512-DRMF3TG/K
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M24C08-DRMF3TG/K
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M24C16-DRMF3TG/K
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M24C64-DRMF3TG/K
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M95020-DRMF3TG/K
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M95040-DRMF3TG/K
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EPF8820ATC144-3
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M2GL025T-1FG484
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5SGXEB6R2F43C2L
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XC5VLX50T-3FF1136C
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XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
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A40MX04-PQ100M
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EP3CLS100F780I7
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EP1S25F1020I6N
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