casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 11AA010T-I/TT
codice articolo del costruttore | 11AA010T-I/TT |
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Numero di parte futuro | FT-11AA010T-I/TT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
11AA010T-I/TT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 1Kb (128 x 8) |
Frequenza di clock | 100kHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Single Wire |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
11AA010T-I/TT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 11AA010T-I/TT-FT |
MT44K32M18RB-093E IT:A
Micron Technology Inc.
MT44K32M18RB-093E IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT44K32M18RB-093E:A
Micron Technology Inc.
MT44K32M18RB-093E:A TR
Micron Technology Inc.
MT44K32M18RB-093F:B TR
Micron Technology Inc.
MT44K32M18RB-107:A
Micron Technology Inc.
MT44K32M18RB-107:A TR
Micron Technology Inc.
MT44K32M18RB-107E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT44K32M18RB-107E:A
Micron Technology Inc.
MT44K32M18RB-107E:A TR
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel