casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / 1140-2R2M
codice articolo del costruttore | 1140-2R2M |
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Numero di parte futuro | FT-1140-2R2M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1140 |
1140-2R2M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 27A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 2 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.500" Dia (38.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.030" (26.16mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1140-2R2M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1140-2R2M-FT |
2317-H
Bourns Inc.
2318-H
Bourns Inc.
2319-H
Bourns Inc.
2320-H
Bourns Inc.
2321-H
Bourns Inc.
2322-H
Bourns Inc.
2323-H
Bourns Inc.
2324-H
Bourns Inc.
2000-100-V-RC
Bourns Inc.
2000-470-V-RC
Bourns Inc.
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256
Microsemi Corporation
A3PN060-VQG100
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C9LN
Intel
10M25DAF256I7P
Intel
EP1C12F256C7
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
5SGXMA9K2H40I2LN
Intel
5SGXEA7H1F35C2N
Intel