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codice articolo del costruttore | 1130-3R3M-RC |
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Numero di parte futuro | FT-1130-3R3M-RC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1130 |
1130-3R3M-RC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 3.3µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 21A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.100" Dia (27.94mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.840" (21.34mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1130-3R3M-RC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1130-3R3M-RC-FT |
1140-821K-RC
Bourns Inc.
1140-122K-RC
Bourns Inc.
1140-270K-RC
Bourns Inc.
1140-5R6M-RC
Bourns Inc.
1140-6R8M-RC
Bourns Inc.
1140-123K-RC
Bourns Inc.
1140-152K-RC
Bourns Inc.
1140-182K-RC
Bourns Inc.
1140-2R2M-RC
Bourns Inc.
1140-2R7M-RC
Bourns Inc.
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel