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codice articolo del costruttore | 1130-1R2M-RC |
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Numero di parte futuro | FT-1130-1R2M-RC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1130 |
1130-1R2M-RC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 1.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 21A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.100" Dia (27.94mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.840" (21.34mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1130-1R2M-RC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1130-1R2M-RC-FT |
1140-4R7M-RC
Bourns Inc.
1140-332K-RC
Bourns Inc.
1140-391K-RC
Bourns Inc.
1140-392K-RC
Bourns Inc.
1140-471K-RC
Bourns Inc.
1140-150K-RC
Bourns Inc.
1140-100K-RC
Bourns Inc.
1140-821K-RC
Bourns Inc.
1140-122K-RC
Bourns Inc.
1140-270K-RC
Bourns Inc.
XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE6E22A7N
Intel
5SGXMA9N2F45I2LN
Intel
5SGXMA4K3F35I3LN
Intel
XA7A75T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3LG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel