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codice articolo del costruttore | 1110-1R5M-RC |
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Numero di parte futuro | FT-1110-1R5M-RC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1110 |
1110-1R5M-RC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 1.5µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 9A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 4 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.660" Dia (16.76mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.840" (21.34mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1110-1R5M-RC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1110-1R5M-RC-FT |
1130-222K
Bourns Inc.
1130-270K
Bourns Inc.
1130-271K
Bourns Inc.
1130-272K
Bourns Inc.
1130-2R2M
Bourns Inc.
1130-2R2M-RC
Bourns Inc.
1130-2R7M
Bourns Inc.
1130-330K
Bourns Inc.
1130-331K
Bourns Inc.
1130-332K
Bourns Inc.
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation