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codice articolo del costruttore | 1110-1R2M |
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Numero di parte futuro | FT-1110-1R2M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1110 |
1110-1R2M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 1.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 9A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.660" Dia (16.76mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.840" (21.34mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1110-1R2M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1110-1R2M-FT |
1130-820K
Bourns Inc.
1130-821K
Bourns Inc.
1130-8R2M
Bourns Inc.
1120-4R7M-RC
Bourns Inc.
1120-221K-RC
Bourns Inc.
1120-680K-RC
Bourns Inc.
1120-221K
Bourns Inc.
1120-680K
Bourns Inc.
1120-120K-RC
Bourns Inc.
1120-121K-RC
Bourns Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel