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codice articolo del costruttore | 1110-120K-RC |
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Numero di parte futuro | FT-1110-120K-RC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1110 |
1110-120K-RC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 12µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 9A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 11 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.660" Dia (16.76mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.840" (21.34mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1110-120K-RC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1110-120K-RC-FT |
1130-1R0M
Bourns Inc.
1130-1R2M
Bourns Inc.
1130-1R5M
Bourns Inc.
1130-1R5M-RC
Bourns Inc.
1130-1R8M
Bourns Inc.
1130-1R8M-RC
Bourns Inc.
1130-220K
Bourns Inc.
1130-221K
Bourns Inc.
1130-222K
Bourns Inc.
1130-270K
Bourns Inc.
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel