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codice articolo del costruttore | 110001200 |
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Numero di parte futuro | FT-110001200 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WE-SDP |
110001200 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 1.96µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 15A |
Corrente - Saturazione | 39A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 2.4 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Radial, Horizontal Cylinder |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.366" Dia x 0.709" L (9.30mm x 18.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
110001200 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 110001200-FT |
74439346100
Wurth Electronics Inc.
74439369033
Wurth Electronics Inc.
74439369047
Wurth Electronics Inc.
74439370068
Wurth Electronics Inc.
74439370082
Wurth Electronics Inc.
74439370150
Wurth Electronics Inc.
744025002
Wurth Electronics Inc.
744025150
Wurth Electronics Inc.
744025100
Wurth Electronics Inc.
744025003
Wurth Electronics Inc.
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel