casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 10ETF10
codice articolo del costruttore | 10ETF10 |
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Numero di parte futuro | FT-10ETF10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
10ETF10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.33V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 310ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
10ETF10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 10ETF10-FT |
NS8JTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8KT-7000HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8KT-7002HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8KTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8KTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8MTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8MTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBL1040-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBL1040HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBL10L25HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation