casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / 103-150M
codice articolo del costruttore | 103-150M |
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Numero di parte futuro | FT-103-150M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 103 |
103-150M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Phenolic |
Induttanza | 15nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.11A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 78 mOhm Max |
Q @ Freq | 55 @ 50MHz |
Frequenza - Autorisonante | 2.2GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 50MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard, 2 Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.100" L x 0.100" W (2.54mm x 2.54mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.075" (1.91mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
103-150M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 103-150M-FT |
2727-20H
API Delevan Inc.
2727-21F
API Delevan Inc.
2727-21G
API Delevan Inc.
2727-21H
API Delevan Inc.
2727-22F
API Delevan Inc.
2727-22G
API Delevan Inc.
2727-22H
API Delevan Inc.
2727-23F
API Delevan Inc.
2727-23G
API Delevan Inc.
2727-23H
API Delevan Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel