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codice articolo del costruttore | 100R-121G |
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Numero di parte futuro | FT-100R-121G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 100R |
100R-121G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 120nH |
Tolleranza | ±2% |
Valutazione attuale | 335mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 140 mOhm Max |
Q @ Freq | 35 @ 25MHz |
Frequenza - Autorisonante | 250MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Free Hanging (In-Line) |
Pacchetto / caso | Nonstandard, 2 Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.100" L x 0.100" W (2.54mm x 2.54mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.065" (1.65mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
100R-121G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 100R-121G-FT |
100-271K
API Delevan Inc.
100-271M
API Delevan Inc.
100-272F
API Delevan Inc.
100-272G
API Delevan Inc.
100-272H
API Delevan Inc.
100-272J
API Delevan Inc.
100-272K
API Delevan Inc.
100-330J
API Delevan Inc.
100-330K
API Delevan Inc.
100-330M
API Delevan Inc.
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel