casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-HFA06TB120PBF
codice articolo del costruttore | VS-HFA06TB120PBF |
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Numero di parte futuro | FT-VS-HFA06TB120PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFRED® |
VS-HFA06TB120PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3V @ 6A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 80ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-HFA06TB120PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-HFA06TB120PBF-FT |
MBR10H60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR10H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR10H90-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1635
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1635-1HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1645-10HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1645-2HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR16H45-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR16H45HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR16H50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel