casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-1N3766
codice articolo del costruttore | VS-1N3766 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-1N3766 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-1N3766 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 110A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4mA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 190°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-1N3766 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-1N3766-FT |
123NQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
123NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division
FCSP140ETR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1183A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1184RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1186A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70HF160
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1184
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1186
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3210
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel