casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VFT3080S-M3/4W
codice articolo del costruttore | VFT3080S-M3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VFT3080S-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VFT3080S-M3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VFT3080S-M3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VFT3080S-M3/4W-FT |
VS-40APS16-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40APS16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APF06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APF06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APF10-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APF12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
5SGXMA3K2F40I2LN
Intel
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
10AX057N2F40E2LG
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel
EP2A40F1020I8
Intel