casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RUT3225JR360CS
codice articolo del costruttore | RUT3225JR360CS |
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Numero di parte futuro | FT-RUT3225JR360CS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RUT |
RUT3225JR360CS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 360 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Current Sense, Moisture Resistant |
Coefficiente di temperatura | ±150ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.100" W (3.20mm x 2.55mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.026" (0.66mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RUT3225JR360CS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RUT3225JR360CS-FT |
RC5025J432CS
Samsung Electro-Mechanics
RC5025J433CS
Samsung Electro-Mechanics
RC5025J434CS
Samsung Electro-Mechanics
RC5025J435CS
Samsung Electro-Mechanics
RC5025J470CS
Samsung Electro-Mechanics
RC5025J471CS
Samsung Electro-Mechanics
RC5025J472CS
Samsung Electro-Mechanics
RC5025J473CS
Samsung Electro-Mechanics
RC5025J474CS
Samsung Electro-Mechanics
RC5025J475CS
Samsung Electro-Mechanics
LCMXO2-4000HE-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FG484I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256
Microsemi Corporation
M7AFS600-2FG256
Microsemi Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
5SGXMA5K3F35I3LN
Intel
M2GL060T-1FGG676
Microsemi Corporation
LFEC33E-4FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31I7N
Intel